在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
16:23, 27 февраля 2026Силовые структуры
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Rank-1 linear, factorized embed, sparse gate, param-free norm, low-rank head, cross-layer sharing
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要在这样一群没有明显短板的对手中突围，仅凭「性价比」三个字已经很难奏效了。常规的打法，很难让零跑从这些巨头口中抢到足够的份额来实现那 105 万辆的野心。